瞬态电压抑制二极管的工作原理是利用PN结的齐纳击穿性而工作的，每一个PN结都有自己的反向击穿电压UB。例如UB为200V，当施加到PN结的反向电压小于200V时。
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电流不导通，而当施加到PN结的反向电压高于200V时，PN结快速进入击穿状态，有大电流通过PN结，而UB电压限制在200V附近。
根据这个道理，在电路中有浪涌电压产生时，瞬态电压抑制二极管可将高压脉冲限制在安全范围内，而允许瞬间大电流旁路。
因此瞬态电压抑制二极管可用于电路过压保护。从结构上讲双极型的芯片不是简单地由两个背对背的单极芯片串联而成。
而是利用现代半导体加工技术在同一硅片的正反两个面上制作两个背对背的PN结，它用于双向过压保护。
瞬态电压抑制二极管的芯片的PN结经过玻璃纯化保护，管体由改性环氧树脂模塑而成。它具有体积小，峰值功率大，抗浪涌电压能力强，击穿电压特性曲线好。
齐纳阻抗低，双向电压对称性好，反向漏电流小，以及对脉冲的响应时间快等特点，适合在恶劣的环境条件下工作，是一种理想的防雷电保护器件。
