国家存储器基地项目芯片生产机台进场安装 中国首批32层三维NAND闪存芯片年内量产！

武汉市长万勇出席活动并讲话，市委副书记、常务副市长陈瑞峰主持活动，紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国现场介绍项目进展情况，国家集成电路产业投资基金公司总经理丁文武代表股东单位发言。

华芯投资管理有限责任公司总裁路军、副总裁任凯，紫光集团总裁张亚东，联席总裁齐联、王慧轩，紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全，以及武汉市委常委、东湖高新区党工委书记程用文，副市长徐洪兰，东湖高新区管委会主任刘子清、管委会常务副主任陈平，市政府秘书长刘志辉，东湖高新区管委会领导宋治平、唐超、明铭、李首文参加活动。

成功研发“中国芯”

据悉，国家存储器基地于去年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，荣获4月9日开幕的中国电子信息博览会（CITE2018）金奖。这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上Z接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

项目介绍

国家存储器基地项目是中国集成电路存储芯片产业规模化发展‘零’的突破，对于填补国内主流存储器领域空白、保障国家信息安全具有重要的战略意义。

该项目位于东湖高新区的武汉未来科技城，项目一期规划投资240亿美元，占地面积1968亩，于2016年12月30日正式开工建设，将建设3座全球单座洁净面积Z大的三维NAND Flash 生产厂房，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。其中一号生产及动力厂房已于去年9月提前封顶，年内即将投入使用。

项目（一期）达产后，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元，立志于解决我国受制于他人的“工业粮食”痛点问题，并将带动国产设备等产业链上下游企业迅猛发展。

光谷打造芯-屏-端万亿产业集群

目前，东湖高新区已经聚集以长江存储、武汉新芯为龙头的集成电路企业百余家，2017年实现主营业务收入135亿元，专业从业人员近万人，创新能力稳步提升，人才队伍不断壮大，产业链不断完善，产业发展生态正在加快形成。

未来，在加快实现存储器芯片量产的同时，东湖高新区将加大设计、设备、材料、封测、存储控制等企业的招引力度，打造存储器全产业链。

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